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2英寸半绝缘砷化镓

Cas  号:

 
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提示信息:偏远地区如新疆西藏宁夏甘肃等地可能无法运送液体,下单前请联系客服。
质量标准: Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method:

VGF


Conduct Type:

S-I-N


Dopant:

Undoped


Diameter:

50.7± 0.1

mm

Orientation:

(100)± 0.50


OF location/length:

EJ [ ]± 0.50/16±1


IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1


Resistivity:

Min: 1.0 E8

Max: 2.2 E8

?·cm

Mobility:

Min: 4500

Max: 5482

cm2/v.s

EPD:

Min: 700

Max: 800

/ cm2

Thickness:

350± 20

μm

Edge Rounding:

0.25

mmR

Laser Marking:

N/A


TTV/TIR:

Max: 10

μm

BOW:

Max: 10

μm

Warp:

Max: 10

μm

Partical  Count:

<50/wafer(for particle>0.3um)


Surface Finish– front:

Polished


Surface Finish –back:

Etched


Epi-Ready:

Yes

友情链接
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