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磷化铟InP单晶片

英文名：
Cas号：
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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 品种：

类型：

浓度（cm-3）：

迁移率(cm2/V.S)：

电阻率(?.cm)：

位错密度(cm-2)：

Un-InP


<3*1016

>1700

----

<1000

S-InP

N

5*1017

>1700

-----

<1000

Zn-InP

P

0.6*1018

>50

------

<1000

Fe-InP

N

107~108

>1700

>107

<1000
性状 规格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向为、，特殊晶向也可以加工。磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。

适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。
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