本网站销售的所有产品仅用于工业应用或者科学研究等非医疗目的，不可用于人类或动物的临床诊断或者治疗，非药用，非食用。
机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼
英文名：Mechanical exfoliation MoS2 on sapphire substrate
Cas号：
Cas号：
检测信息查询
| 货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
| 1308128094-1盒 | 0 | ￥7700 | 请登录 |
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | 形态：薄膜
参数 基底：蓝宝石 基底尺寸：10 mmx10 mm MOS2面积: ＞10 µm2 机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。 |
| 性状 | |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号