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机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼
Mechanical exfoliation MoS2 on sapphire substrate

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货号 品名 规格 包装 单价 货期 库存
190703152132 机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼 1盒 7700元 咨询客服 3天
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质量标准: 形态:薄膜

参数

基底:蓝宝石
基底尺寸:10 mmx10 mm
MOS2面积: >10 µm2

机械剥离制备的二硫化钼,相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料,该类材料具有缺陷少,优异的光学性质,可以研究层数和荧光效应,此外,由于保持了原有晶格结构,所以该类材料是制备器件的理想材料。

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