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氮化铜
英文名：COPPER(I) NITRIDE
Cas号：1308-80-1
Cas号：1308-80-1
检测信息查询
| 别 名 | 氮化铜;氮化铜(I), 99.5% (METALS BASIS);氮化铜(I) |
| Cas号 | 1308-80-1 |
| M D L | |
| 分子式 | Cu3N |
| 分子量 | 204.64 |
| 产品参数 | 熔点 300°C
密度 5.840 形态cubic crystals 水溶解性 decomposes in H2O [CRC10] 氮化铜是一种共价键金属氮化物， 在空气中常温下稳定，在氧气中400℃时则激烈氧化。 在真空中约从450℃开始分解。 溶于稀酸(生成铵盐)，在浓硫酸、浓硝酸中激烈分解。 晶态的氮化铜是简立方的结构，晶格常数为0.3817nm。 氮化铜薄膜是棕褐色的半透明薄膜， 其在湿度为95%，温度为60℃的条件下放置15个月后与初始相比， 没有任何光学性能的改变。 氮化铜粉末晶体处于非稳态相，颜色为紫黑色， 其在真空中360℃左右发生分解，即2Cu3N=6Cu+N2反应。 |
| 性状 | 氮化铜是一种在常温下处于亚稳态的半导体材料，它的热分解温度仅为300-450℃，有较高的电阻率以及在红外光和可见光波段有较低的反射率，已成为目前光电存储和电子集成领域中倍受人们青睐的新材料。
（1）光存储 氮化铜薄膜的低温热分解特性和可见光、红外波段反射率低的特点，为它在光存储的应用创造了可能性。经过热处理后的氮化铜薄膜的反射率明显增加，曲线与直接溅射得到的Cu膜较为接近：尤其在765nm处，氮化铜薄膜的反射率从20.5%增大到86.5%，这与Cu膜的88.4%非常接近。这说明氮化铜薄膜在此光波段反射系数的明显差异，为氮化铜薄膜成为新型光记录介质提供了极大的可能。 （2）太阳能电池 太阳能电池是半导体材料与新型材料在应用领域的最重要目标之一，氮化铜薄膜就具有在这一领域的潜力：采用调节氮化用薄膜中化学成分配比的手段，能够优化它的光学带隙使得光伏电压可以达到最大。 （3）金属化的应用 当对氮化铜薄膜加热或用电子束、离子束、光线照射到薄膜表面时，它就会有金属铜产生。 （4）锂电池负极材料 由于氮化铜的可多种离子掺杂特性，其有可能成为一种性能优异的锂电池负极材料。 |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号