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Nb2SiTe4晶体
英文名：
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检测信息查询
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| 产品参数 | 参考文献
1，Zhao, Mingxing, et al. "Nb2SiTe4: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response." ACS nano 13.9 (2019): 10705-10710. 2，Zhang, Ting, et al. "Two-dimensional ferroelastic semiconductors in Nb2SiTe4 and Nb2GeTe4 with promising electronic properties." The Journal of Physical Chemistry Letters (2019). 3，Fang, Wen-Yu, et al. "Nb 2 SiTe 4 and Nb 2 GeTe 4: Unexplored 2D Ternary Layered Tellurides with High Stability, Narrow Band Gap and High Electron Mobility." Journal of Electronic Materials 49.2 (2020): 959-968. |
| 性状 | 材料名称
Name Nb2SiTe4 性质分类 Electrical properties 半导体,红外材料，ferroelastic semiconductors 禁带宽度 Bangap 0.2 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 晶体稳定性较好，但需要避开水氧保存 |
| 贮存 |
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