本网站销售的所有产品仅用于工业应用或者科学研究等非医疗目的，不可用于人类或动物的临床诊断或者治疗，非药用，非食用。
Ta2NiS5 晶体
英文名：
Cas号：
Cas号：
检测信息查询
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | 参考文献
1， Sunshine, Steven A., and James A. Ibers. "Structure and physical properties of the new layered ternary chalcogenides tantalum nickel sulfide (Ta2NiS5) and tantalum nickel selenide (Ta2NiSe5)." Inorganic Chemistry 24.22 (1985): 3611-3614. 2，Di Salvo, F. J., et al. "Physical and structural properties of the new layered compounds Ta2NiS5 and Ta2NiSe5." Journal of the Less Common Metals 116.1 (1986): 51-61. 3， Larkin, T. I., et al. "Infrared phonon spectra of quasi-one-dimensional Ta 2 NiSe 5 and Ta 2 NiS 5." Physical Review B 98.12 (2018): 125113. 4， Yan, Bingzheng, et al. "Ternary chalcogenide Ta 2 NiS 5 as a saturable absorber for a 1.9 μm passively Q-switched bulk laser." Optics letters 44.2 (2019): 451-454. |
| 性状 | TaNiS5 晶体
晶体大小： 3~10 mm 晶体种类： Magnetic semiconductor 纯度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 晶体生长方式： CVT 化学气相传输法 更多信息： 请咨询：sales@6carbon.com |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号