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HfS2 硫化铪
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货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
1308133270 | 0 | ¥0 |
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产品参数 | 1,Kanazawa, Toru, et al. "Few-layer HfS 2 transistors." Scientific reports 6 (2016): 22277.
2,Fu, Lei, et al. "Van der Waals Epitaxial Growth of Atomic Layered HfS2 Crystals for Ultrasensitive Near‐Infrared Phototransistors." Advanced Materials 29.32 (2017): 1700439. 3,Mirabelli, Gioele, et al. "Air sensitivity of MoS2, MoSe2, MoTe2, HfS2, and HfSe2." Journal of Applied Physics 120.12 (2016): 125102. 4,Colibaba, Stefana Anais, et al. "Interlayer dielectric function of a type-II van der Waals semiconductor: The HfS 2/PtS 2 heterobilayer." Physical Review Materials 3.12 (2019): 124002. |
性状 | 晶体种类: Semiconductor
纯度: >99.999 % 表征方法: EDS,SEM,Raman 晶体生长方式: CVT 化学气相传输法 |
贮存 |
- 碲化镓 12024-14-5
- GeBi4Te7粉体
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- 硒化锗 12065-10-0
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- MoSSe 高纯硫硒化钼粉体
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