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氧化硅片
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Thermal oxidation 热氧化（1、干氧/ 2、干氧+湿氧+干氧） 等级/Grade Prime Coating thickness: 5nm to 10000nm±1%超平整氧化厚度均匀性<1%； 直径/Diameter 4inch /100mm (1 inch – 8 inch / 25.4mm – 200mm) 厚度/Thickness 50nm、100nm、200nm、285nm、300nm、500nm、800nm、1um、2um、3um、5um、8um、10um, etc.5nm到10um各种厚度均可定制. 表面状态/Finish SSPDSP，etc.单抛单面氧化、单抛双面氧化、双抛单面氧化、双抛单面氧化等； 晶向/orientation （100）（111）（110）（211）（311）（511）(531)，etc. 晶向偏角/Off cut up to 7deg 掺杂类型/Type/Dopant P/B,N/Phos，N/Sb，N/As，Intrinsic 电阻率/Resistivity CZ/MCZ: From 0.001 to 100 ohm.cm FZ: From 100 to >20000 ohm.cm 薄膜/Thin films PVD:Al、Ni、Cu、Ti、Ag、Au、Pt、Fe、Mo，etc. Coating thickness: up to 3000nm±5% LPCVD/PECVD:Oxide、Nitride、TEOS、LTO、SIPOS、SiC、POLY、etc. Coatingthickness: up to 3000nm±3% Thermal oxidation:Oxide Coatingthickness: 5nm to 10000nm±1% Silicon epitaxial wafers and epitaxial services（SOS、GOI、SOI、GaN、GaAs、InP,etc.) 加工服务/Processes 定制单双抛单双面氧化硅片、超薄、超厚、超平氧化硅片、切割不同尺寸、不同形状，打孔氧化硅片； SSP,DSP,ultrathin，ultra flat，etc. 打孔、掏圆、切割、减薄/Punch、Downsizing、dicing、back grinding，etc. |
| 性状 | 1-8英寸直拉CZ、区熔FZ、单双面氧化硅片；超薄5nm至超厚10um氧化层均可提供；
专利干氧离子分层氧化均匀性<1%，氧化层致密无漏电，各种特殊厚度要求均可提供； 可提供100nm.285nm、300nm、500nm、1um、2um等不同尺寸进口氧化硅片 |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号