本网站销售的所有产品仅用于工业应用或者科学研究等非医疗目的，不可用于人类或动物的临床诊断或者治疗，非药用，非食用。
GaAS电池片
英文名：
Cas号：
Cas号：
检测信息查询
| 货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | 提供空间用电池和地面电站用电池。
1. 空间用：转换效率η≥30% 2. 地面用：转换效率η≥40% |
| 性状 | 砷化镓电池片GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温。与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有更好的性能。砷化镓电池与硅光电池的比较：
光电转化率： 砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。硅电池的理论效率大概为23%，而单结的砷化镓电池理论效率达到27%，而多结的砷化镓电池理论效率更超过50%。实际应用中硅的效率在18%左右，砷化镓却能达到40%。 |
| 贮存 | 耐温性 常规上，砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池，砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。 |
- Ge片
- 锑化镓（GaSb）
- GaP晶片
- GaAS电池片
- GaASⅢ-Ⅴ族衬底片
- 磷化铟InP单晶片
- [Sar1]-血管紧张素 I/II (1-7) 酰胺 126112-22-9
沪公网安备 31012002003054号