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GaASⅢ-Ⅴ族衬底片

英文名：
Cas号：
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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method:

VGF


Conduct Type:

S-C-P


Dopant:

GaAs-Zn


Diameter:

50.8± 0.4

mm

Orientation:

(100)± 0.50


OF location/length:

EJ [ ]± 0.50/16±1


IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1


Ingot CC:

Min: 1.4 E19

Max: 1.9 E19

/cm3

Resistivity:

Min: N/A

Max: N/A

?·cm

Mobility:

Min: N/A

Max: N/A

cm2/v.s

EPD:

Min: 600

Max: 700

/ cm2

Thickness:

350±25

μm

Surface Finish– front:

Polished


Surface Finish –back:

Etched


Epi-Ready:

Yes

性状 可以提供EPD<500 、 <300 、<100、＜50 的高质量LD级外延用GaAs ------
专业提供“激光领域” 用高质量 110um厚双抛GaAs ------
专业生产定制高质量砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。尺寸 2" 3" 4" 6" ， 晶向（100）（111），类型：N- type 掺Si， P- type 掺Zn，半绝缘Undope 。
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