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AgInP2S6晶体
英文名：
Cas号：
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检测信息查询
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| Cas号 | |
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| 产品参数 | 材料性质参考文献：
1, https://doi.org/10.1039/C7RA13519J Structural, electronic, vibration and elasticproperties of the layered AgInP2S6 semiconductingcrystal – DFT approach 2, https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4962956 Second-harmonic generation in quaternary atomically thin layered AgInP2S6 crystals |
| 性状 | 材料名称
Name AgInP2S6 性质分类 Electrical properties 半导体，非线性材料，铁电材料 Semiconductor，Nonlinear Material，Ferroelectrics Material 禁带宽度 Bangap 1.147 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy |
| 贮存 |
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