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AgInP2Se6晶体
英文名：
Cas号：
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检测信息查询
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| 产品参数 | 参考文献：
A. Dziaugys, J. Banys, J. Macutkevic & Ju. Vysochanskii (2009) Dielectric Properties of New AgInP2Se6 Crystals, Ferroelectrics, 391:1, 151-157, DOI: 10.1080/00150190903004718 |
| 性状 | 材料名称
Name AgInP2Se6 性质分类 Electrical properties 拓扑材料，半导体，红外材料,非线性材料，铁电材料 禁带宽度 Bangap 0.622 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 晶体稳定，不需要特殊保存 Stable |
| 贮存 |
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