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InSiTe3晶体
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| 产品参数 | 参考文献
Debbichi, Lamjed, et al. "First-principles investigation of two-dimensional trichalcogenide and sesquichalcogenide monolayers." Physical Review B 93.24 (2016): 245307. Lefèvre, Robin, et al. "Layered tellurides: stacking faults induce low thermal conductivity in the new In 2 Ge 2 Te 6 and thermoelectric properties of related compounds." Journal of Materials Chemistry A 5.36 (2017): 19406-19415. |
| 性状 | 材料名称
Name InSiTe3 性质分类 Electrical properties 半导体，热电材料 禁带宽度 Bangap 0.8 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 晶体稳定性一般，需要避开水氧保存 |
| 贮存 |
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