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InBi晶体
英文名：
Cas号：
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检测信息查询
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| 产品参数 | 参考文献
Degtyareva, V. F., M. Winzenick, and W. B. Holzapfel. "Crystal structure of InBi under pressure up to 75 GPa." Physical Review B 57.9 (1998): 4975. Akgöz, Y. C., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "The elastic behaviour of InBi single crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 34.2 (1973): 141-149. Bhatt, V. P., and C. F. Desai. "Temperature dependence of vickers microhardness and creep of InBi single crystals." Bulletin of Materials Science 4.1 (1982): 23-28. |
| 性状 | 材料名称
Name InBi 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 中 Medium |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号