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InBi晶体

英文名：
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13081331291 大于10平方毫米 0 ￥3120
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13081331292 大于25平方毫米 0 ￥5120
- +
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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 参考文献

Degtyareva, V. F., M. Winzenick, and W. B. Holzapfel. "Crystal structure of InBi under pressure up to 75 GPa." Physical Review B 57.9 (1998): 4975.



Akgöz, Y. C., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "The elastic behaviour of InBi single crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 34.2 (1973): 141-149.



Bhatt, V. P., and C. F. Desai. "Temperature dependence of vickers microhardness and creep of InBi single crystals." Bulletin of Materials Science 4.1 (1982): 23-28.
性状 材料名称

Name



InBi



性质分类

Electrical properties




拓扑绝缘体

Topological Insulators
禁带宽度

Bangap

0 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation

中

Medium
贮存
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