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SiTe2晶体

Cas  号:

 
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提示信息:偏远地区如新疆西藏宁夏甘肃等地可能无法运送液体,下单前请联系客服。
性 状: 材料名称

Name

SiTe2

性质分类

Electrical   properties


红外半导体,拓扑绝缘体

IR Semiconductor,TI
禁带宽度

Bangap

0.1 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation


Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定,需要避免水氧保存

质量标准: 参考文献:


Wang, Yi, Zhibin Gao, and Jun Zhou. "Ultralow lattice thermal conductivity and electronic properties of monolayer 1T phase semimetal SiTe2 and SnTe2." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 108 (2019): 53-59.

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