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SnBi4Te7晶体
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检测信息查询
| 货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
| 13081331741 | 大于10毫克 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331742 | 大于25毫克 | 0 | ￥5120 |
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | 参考文献
1，Vergniory, M. G., et al. "Bulk and surface electronic structure of SnBi4Te7 topological insulator." Applied surface science 267 (2013): 146-149. 2， Caillat, T., et al. "Synthesis and thermoelectric properties of some materials with PbBi4Te7 crystal structure." Proc. XIX Int. Conf. on Thermoelectrics. 2000. 3，Zhitinskaya, M. K., et al. "Transport phenomena in the anisotropic layered compounds MeBi 4 Te 7 (Me= Ge, Pb, Sn)." Semiconductors 46.10 (2012): 1256-1262. |
| 性状 | 材料名称
Name SnBi4Te7 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体,红外材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.632 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 中 Medium |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号