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CVD 二硒化钨薄膜 ： WSe2

英文名：
Cas号：
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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 制造方法：
化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

产品简介：
WSe2薄膜分为多种：
1） 单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。
2） 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3） 多层WSe2 连续薄膜。
4） 基底：WSe2可选基底较多，其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如：SiO2/Si,　硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

应用领域：
光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。

包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。
性状 尺寸：10mm*10mm
形貌：
单层三角单晶晶粒
单层连续薄膜
多层连续薄膜
基底种类：
SiO2/Si(300nm氧化层）
SiO2/Si(其他厚度）
蓝宝石（单面抛光）
蓝宝石（双面抛光）
光学石英
柔性PET
硅片
高阻本征硅（>10000ohm.cm）太赫兹专用
SOI
PDMS
云母
SrTiO3钛酸锶
玻璃
ITO
金膜
银膜
铜膜
GaAs砷化镓
TEM铜网
贮存
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