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碲化锑 CVD Sb2Te3薄膜
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| 产品参数 | Sb2Te3 拓扑绝缘体薄膜。
材料 Sb2Te3薄膜 制造方法 CVD沉积 基底 沉积在蓝宝石和云母上，其他基底可以转移 特性 拓扑绝缘体薄膜，易氧化 厚度选择 最薄约5nm，最后50nm左右 注意事项 易氧化 参考文献 1，Kitamura, Masahito, et al. "Chemical Vapor Deposition GeTe/Sb2Te3 Super-Lattice Phase Change Memory." Int. Conf. Solid State Devices Mater. Fukuoka. 2013. 2，Sotor, J., et al. "Mode-locked erbium-doped fiber laser based on evanescent field interaction with Sb2Te3 topological insulator." Applied Physics Letters 104.25 (2014): 251112. |
| 性状 | 基底：
SiO2/Si基底 石英基底 蓝宝石基底 其他基底 |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号