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二硫化钼薄膜: MoS2
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| 货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
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| 产品参数 | 目前最大尺寸4英寸圆片，更大尺寸（8，12英寸）即将面市。
基本性质: 无掺杂二硫化钼是层状N型半导体，属于过渡金属二硫族化合物，块状能带间隙为1.23eV （间接带隙），单层MoS2带隙~1.85eV（直接带隙）。 制造方法： 化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD） 产品简介： 六碳科技的MoS2薄膜分为多种： 1） 单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。 2） 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。 3） 多层MoS2 连续薄膜。 4） 基底：MoS2可选基底较多，其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。 应用领域： 光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。 包装及规格 10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。 净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。 典型客户包括： MIT、加州理工、斯坦福大学； 牛津大学、曼彻斯特大学； 首尔大学、韩国科学技术院（KAIST）、成均馆大学； 东京工业大学、村田制作所 清华大学、北京大学、中科院半导体所 等世界一流研究机构。 |
| 性状 | 尺寸：10mm*10mm
形貌： 单层三角单晶晶粒 单层连续薄膜 多层连续薄膜 基底种类： SiO2/Si(300nm氧化层） SiO2/Si(100nm氧化层） SiO2/Si(500nm氧化层） SiO2/Si(其他厚度） 蓝宝石（单面抛光） 蓝宝石（双面抛光） 光学石英 柔性PET 硅片 高阻本征硅（>10000ohm.cm）太赫兹专用 SOI PDMS 云母 SrTiO3钛酸锶 玻璃 ITO 金膜 银膜 铜膜 GaAs砷化镓 TEM铜网 其他基底 |
| 贮存 |
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