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CuInP2Se6晶体
英文名:
Cas号:
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检测信息查询
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产品参数 | 参考文献:
1, Vysochanskii, Yu M., et al. "Dielectric measurement study of lamellar CuInP2Se6: successive transitions towards a ferroelectric state via an incommensurate phase?." Solid state communications 115.1 (2000): 13-17. 2,Banys, J., et al. "Dielectric properties of ferroelectrics CuInP2Se6 and CuCrP2S6." Ferroelectrics 257.1 (2001): 163-168. 3, Liubachko, V., et al. "Anisotropic thermal properties and ferroelectric phase transitions in layered CuInP2S6 and CuInP2Se6 crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 111 (2017): 324-327. |
性状 | 材料名称
Name CuInP2Se6 性质分类 Electrical properties 拓扑材料,半导体,红外材料,铁磁性材料 禁带宽度 Bangap 0.311 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 晶体稳定,不需要特殊保存 Stable |
贮存 |