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CuInP2Se6晶体

英文名：
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13081331081 大于10平方毫米 0 ￥3120
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13081331082 大于20平方毫米 0 ￥0
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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 参考文献:

1, Vysochanskii, Yu M., et al. "Dielectric measurement study of lamellar CuInP2Se6: successive transitions towards a ferroelectric state via an incommensurate phase?." Solid state communications 115.1 (2000): 13-17.

2,Banys, J., et al. "Dielectric properties of ferroelectrics CuInP2Se6 and CuCrP2S6." Ferroelectrics 257.1 (2001): 163-168.

3, Liubachko, V., et al. "Anisotropic thermal properties and ferroelectric phase transitions in layered CuInP2S6 and CuInP2Se6 crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 111 (2017): 324-327.
性状 材料名称

Name




CuInP2Se6



性质分类

Electrical properties


拓扑材料，半导体，红外材料，铁磁性材料


禁带宽度

Bangap

0.311 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定，不需要特殊保存

Stable
贮存
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