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GaPS4晶体

Cas  号:

 
分子式:  
订货信息:
货号 品名 规格 包装 单价 货期 库存
200528095429 GaPS4晶体 大于20平方毫米 5120元 咨询客服 3天
200528095320 GaPS4晶体 大于10平方毫米 3120元 咨询客服 3天
提示信息:偏远地区如新疆西藏宁夏甘肃等地可能无法运送液体,下单前请联系客服。
性 状: 材料名称

Name


GaPS4

性质分类

Electrical   properties


拓扑材料,半导体


禁带宽度

Bangap

2.322 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation


Easy
保存注意事项
Notice
晶体稳定,不需要特殊保存

Stable

质量标准: 参考文献

1, Buck, P. E. T. E. R., and CLAUS DIETER Carpentier. "The crystal structure of gallium thiophosphate, GaPS4." Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry 29.9 (1973): 1864-1868.

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