GaPS4晶体

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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 参考文献

1, Buck, P. E. T. E. R., and CLAUS DIETER Carpentier. "The crystal structure of gallium thiophosphate, GaPS4." Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry 29.9 (1973): 1864-1868.
性状 材料名称

Name




GaPS4



性质分类

Electrical properties


拓扑材料,半导体


禁带宽度

Bangap

2.322 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation




Easy
保存注意事项
Notice
晶体稳定,不需要特殊保存

Stable
贮存
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