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GaGeTe晶体
英文名：
Cas号：
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检测信息查询
| 货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
| 13081331101 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331102 | 大于20平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | 参考文献：
1， Drasar, C., et al. "Thermoelectric properties and nonstoichiometry of GaGeTe." Journal of Solid State Chemistry 193 (2012): 42-46. 2， Wang, Weike, et al. "Ultrathin GaGeTe p-type transistors." Applied Physics Letters 111.20 (2017): 203504. 3，Kucek, Vladimir, et al. "Optical and transport properties of GaGeTe single crystals." Journal of crystal growth 380 (2013): 72-77. |
| 性状 | 材料名称
Name GaGeTe 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，半导体，红外材料，热电材料， TI，Semiconductor，IR 禁带宽度 Bangap 0.2 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 晶体稳定，不需要特殊保存 Stable |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号