In3SbTe2晶体

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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 参考文献:

Los, Jan H., et al. "First-principles study of the amorphous In 3 SbTe 2 phase change compound." Physical Review B 88.17 (2013): 174203.

Naruse, Atsuko, et al. "Crystallizing mechanism and recording properties of In3SbTe2 phase-change optical disks." Japanese journal of applied physics 34.1R (1995): 156.

性状 材料名称

Name





In3SbTe2



性质分类

Electrical properties


相变材料,金属性层状材料


禁带宽度

Bangap

0 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation




Easy
保存注意事项
Notice
晶体稳定,不需要特殊保存

Stable
贮存
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