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In2Se3 硒化铟晶体 α-2H相
英文名：
Cas号：
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检测信息查询
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| 产品参数 | 参考文献：
1，Shi, Huanhuan, et al. "Ultrafast Electrochemical Synthesis of Defect‐Free In2Se3 Flakes for Large‐Area Optoelectronics." Advanced Materials (2020): 1907244. 2，Wan, Siyuan, et al. "Nonvolatile Ferroelectric Memory Effect in Ultrathin α‐In2Se3." Advanced Functional Materials 29.20 (2019): 1808606. 3， Zhang, Fan, et al. "Atomic-scale observation of reversible thermally driven phase transformation in 2D In2Se3." ACS nano 13.7 (2019): 8004-8011. |
| 性状 | 晶体大小： 5~10 mm
晶体种类： Semiconductor，红外材料 0.99eV 纯度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 晶体生长方式： CVT 化学气相传输法 |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号