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Pb2Bi2Te5晶体
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1，Silkin, I. V., et al. "Three-and two-dimensional topological insulators in Pb 2 Sb 2 Te 5, Pb 2 Bi 2 Te 5, and Pb 2 Bi 2 Se 5 layered compounds." JETP letters 94.3 (2011): 217. 2，Shelimova, L. E., et al. "Crystal structures and thermoelectric properties of layered compounds in the ATe–Bi 2 Te 3 (A= Ge, Sn, Pb) systems." Inorganic materials 40.5 (2004): 451-460. 3，Shelimova, L. E., et al. "Solid solutions based on laminated chalcogenides of bismuth and lead in ternary reciprocal Pb, Bi|| Se, Te system." Inorganic Materials: Applied Research 6.4 (2015): 298-304. 4，Guin, Satya N., Ananya Banik, and Kanishka Biswas. "Thermoelectric energy conversion in layered metal Chalcogenides." 2d Inorganic Materials Beyond Graphene (2017): 239. |
| 性状 | 材料名称
Name Pb2Bi2Te5 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，红外材料，相变材料，热电材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.186 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 中 Medium |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号