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PbSb2Te4晶体
英文名：
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检测信息查询
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| 产品参数 | 参考文献
1，Menshchikova, Tatiana V., Sergey V. Eremeev, and Evgueni V. Chulkov. "Electronic structure of SnSb2Te4 and PbSb2Te4 topological insulators." Applied surface science 267 (2013): 1-3. 2， Shelimova, L. E., et al. "Thermoelectric Properties of Layered Anisotropic p-type PbSb2Te4 Compound and Peculiarities of its Energy Spectrum." 5th European Conference on Thermoelectrics, Odessa (Ukraine). 2007. |
| 性状 | 材料名称
Name PbSb2Te4 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，红外材料，热电材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.279 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号