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PbBi4Te7晶体
英文名：
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检测信息查询
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| 产品参数 | 参考文献
1，Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Electrical transport properties of SnBi4Te7 and PbBi4Te7 with different deviations from stoichiometry." Journal of Physics D: Applied Physics 34.5 (2001): 700. 2，Shelimova, L. E., et al. "Anisotropic thermoelectric properties of the layered compounds PbSb 2 Te 4 and PbBi 4 Te 7." Inorganic Materials 43.2 (2007): 125-131. |
| 性状 | 材料名称
Name PbBi4Te7 性质分类 Electrical properties 红外半导体，拓扑绝缘体， 热电材料 IR Semiconductor， TI 禁带宽度 Bangap 0.4 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 晶体稳定，不需要特殊保存 Stable |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号