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HfTe2 碲化铪晶体
英文名：
Cas号：
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检测信息查询
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| Cas号 | |
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| 产品参数 | 参考文献：
1， Klipstein, P. C., et al. "Electronic properties of HfTe2." Journal of Physics C: Solid State Physics 19.25 (1986): 4953. 2，Mangelsen, S., et al. "Large nonsaturating magnetoresistance and pressure-induced phase transition in the layered semimetal HfTe 2." Physical Review B 96.20 (2017): 205148. 3，Smeggil, J. G., and S. Bartram. "The preparation and x ray characterization of HfTe2− x, x= 0.061." Journal of Solid State Chemistry 5.3 (1972): 391-394. |
| 性状 | 晶体大小： 5~10 mm
晶体种类： Semiconductor 纯度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman bandgap： 0 eV |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号