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In2GaBi2S6晶体
英文名：
Cas号：
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检测信息查询
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| 产品参数 | |
| 性状 | 材料名称
Name In2GaBi2S6 性质分类 Electrical properties 拓扑材料，半导体 禁带宽度 Bangap 1.8 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 晶体稳定，不需要特殊保存 Stable |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号