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GeTe晶体
英文名：
Cas号：
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检测信息查询
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| Cas号 | |
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| 产品参数 | 参考文献：
1，Nonaka, Toshihisa, et al. "Crystal structure of GeTe and Ge2Sb2Te5 meta-stable phase." Thin Solid Films 370.1-2 (2000): 258-261. 2，Wiedemeier, Heribert, Eugene A. Irene, and Asim K. Chaudhuri. "Crystal growth by vapor transport of GeSe, GeSe2, and GeTe and transport mechanism and morphology of GeTe." Journal of Crystal Growth 13 (1972): 393-396. 3，Seddon, T., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "An acoustic anomaly at the phase transition in GeTe SnTe alloy single crystals." Solid State Communications 17.1 (1975): 55-57. |
| 性状 | 材料名称
Name GeTe 性质分类 Electrical properties 拓扑材料，相变材料 禁带宽度 Bangap 0.5 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation Medium 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation Medium |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号