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GeTe晶体

Cas  号:

 
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订货信息:
货号 品名 规格 包装 单价 货期 库存
200528101256 GeTe晶体 大于20平方毫米 5120元 咨询客服 3天
200528101204 GeTe晶体 大于10平方毫米 3120元 咨询客服 3天
提示信息:偏远地区如新疆西藏宁夏甘肃等地可能无法运送液体,下单前请联系客服。
性 状: 材料名称

Name


GeTe

性质分类

Electrical   properties

拓扑材料,相变材料


禁带宽度

Bangap

0.5 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation

Medium

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation
Medium

质量标准: 参考文献:

1,Nonaka, Toshihisa, et al. "Crystal structure of GeTe and Ge2Sb2Te5 meta-stable phase." Thin Solid Films 370.1-2 (2000): 258-261.

2,Wiedemeier, Heribert, Eugene A. Irene, and Asim K. Chaudhuri. "Crystal growth by vapor transport of GeSe, GeSe2, and GeTe and transport mechanism and morphology of GeTe." Journal of Crystal Growth 13 (1972): 393-396.

3,Seddon, T., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "An acoustic anomaly at the phase transition in GeTe SnTe alloy single crystals." Solid State Communications 17.1 (1975): 55-57.

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