HgPSe3晶体

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Cas号
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分子式
分子量
产品参数
性状	材料名称 Name HgPSe3 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体,红外材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 1.209 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 中 Medium 参考文献 1，Calareso, C., et al. "Electronic core levels of HgPX 3 chalcogenophosphates." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 18.2 (2000): 306-311. 2，Wang, Fengmei, et al. "New frontiers on van der Waals layered metal phosphorous trichalcogenides." Advanced Functional Materials 28.37 (2018): 1802151.
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