本网站销售的所有产品仅用于工业应用或者科学研究等非医疗目的，不可用于人类或动物的临床诊断或者治疗，非药用，非食用。
HgPSe3晶体
英文名：
Cas号：
Cas号：
检测信息查询
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | |
| 性状 | 材料名称
Name HgPSe3 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体,红外材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 1.209 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 中 Medium 参考文献 1，Calareso, C., et al. "Electronic core levels of HgPX 3 chalcogenophosphates." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 18.2 (2000): 306-311. 2，Wang, Fengmei, et al. "New frontiers on van der Waals layered metal phosphorous trichalcogenides." Advanced Functional Materials 28.37 (2018): 1802151. |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号