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GeBi4Te7晶体
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检测信息查询
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| 产品参数 | 参考文献
1，Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Effect of nonstoichiometry on the thermoelectric properties of GeBi 4 Te 7." Journal of applied physics 85.6 (1999): 3207-3210. 2，Imai, Yoji, and Akio Watanabe. "Electronic structures of PbBi4Te7 and GeBi4Te7 calculated by a first-principle pseudopotential method." Intermetallics 11.5 (2003): 451-458. 3，Souchay, Daniel, et al. "Layered manganese bismuth tellurides with GeBi 4 Te 7-and GeBi 6 Te 10-type structures: towards multifunctional materials." Journal of Materials Chemistry C 7.32 (2019): 9939-9953. 4， Shelimova, L. E., and M. A. Kretova. "Phase transformations in Ge 3 Bi 2 Te 6, GeBi 2 Te 4 and GeBi 4 Te 7 semiconductor compounds." Izvestiya Akademii Nauk-Rossijskaya Akademiya Nauk. Neorganicheskie Materialy 29.1 (1993): 54-58. |
| 性状 | 材料名称
Name GeBi4Te7 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体,红外材料，热电材料，相变材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.597 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶体结构 Crystal Structure trigonal 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号