GeBi4Te7晶体

英文名:
Cas号:
检测信息查询
货号 规格 货期 库存 价格 会员价 订购
13081331141 大于10平方毫米 0 ¥3120 请登录
- +
13081331142 大于20平方毫米 0 ¥5120 请登录
- +
偏远地区如新疆西藏宁夏甘肃等地可能无法运送液体,下单前请联系客服。
别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 参考文献

1,Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Effect of nonstoichiometry on the thermoelectric properties of GeBi 4 Te 7." Journal of applied physics 85.6 (1999): 3207-3210.

2,Imai, Yoji, and Akio Watanabe. "Electronic structures of PbBi4Te7 and GeBi4Te7 calculated by a first-principle pseudopotential method." Intermetallics 11.5 (2003): 451-458.

3,Souchay, Daniel, et al. "Layered manganese bismuth tellurides with GeBi 4 Te 7-and GeBi 6 Te 10-type structures: towards multifunctional materials." Journal of Materials Chemistry C 7.32 (2019): 9939-9953.

4, Shelimova, L. E., and M. A. Kretova. "Phase transformations in Ge 3 Bi 2 Te 6, GeBi 2 Te 4 and GeBi 4 Te 7 semiconductor compounds." Izvestiya Akademii Nauk-Rossijskaya Akademiya Nauk. Neorganicheskie Materialy 29.1 (1993): 54-58.
性状 材料名称

Name

GeBi4Te7

性质分类

Electrical properties

拓扑绝缘体,红外材料,热电材料,相变材料

Topological Insulators

禁带宽度

Bangap

0.597 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

晶体结构

Crystal Structure

trigonal

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation



Easy
贮存
本网站销售的所有产品仅用于工业应用或者科学研究等非医疗目的,不可用于人类或动物的临床诊断或者治疗,非药用,非食用。
X
QQ