本网站销售的所有产品仅用于工业应用或者科学研究等非医疗目的，不可用于人类或动物的临床诊断或者治疗，非药用，非食用。
GeS 硫化锗晶体
英文名：
Cas号：
Cas号：
检测信息查询
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | 参考文献
1, Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. "Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal." Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017). 2,Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. "Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal." Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017). 3,Zhang, Shengli, et al. "Two-dimensional GeS with tunable electronic properties via external electric field and strain." Nanotechnology 27.27 (2016): 274001. |
| 性状 | 材料名称
Name GeS 性质分类 Electrical properties 拓扑材料，红外材料 禁带宽度 Bangap 1.2 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶体结构 Crystal Structure 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 容易 |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号